Was ist Bandgap Engineering?

Direkte Halbleiter können Licht emittieren, dessen Frequenz abhängig von der Bandlücke des Halbleiters ist. Galliumarsenid (GaAs) emittiert infratortes Licht, während Aluminiumarsenid (AlAs) geblgrünes Licht emittiert (sichtbarer Wellenlängenbereich).

Beim »bandgap engineering« werden beide Halbleiter (hier GaAs und AlAs) vermischt, sodass der neue Halbleiter eine andere Bandlücke hat. Und je mehr Du GaAs beimischst, so wird die Bandlücke des neuen Halbleiters kleiner und somit verschiebt sich das emittierte Licht in den infraroten Bereich.

Mischst Du dagegen mehr AlAs bei, so verschiebt sich das emittierte Licht in den sichtbaren Wellenlängenbereich. Dieses Kombinieren der Halbleiter unterschiedlicher Bandlücken zur Erzeugung neuer Bandlücken gewünschter Größe, wird als "band gap engineering" bezeichnet.